CounterPoint：全球内欧亿存价格年内已上涨 50%，到 2026Q2 预估再涨 50%

IT之家 11 月 20 日消息，全球市场调查机构 CounterPoint Research 昨日（11 月 19 日）发布博文，内存年内示警全球内存市场正面临严峻的价格欧亿价格上涨压力。

IT之家援引博文报告预测，已上Q预继今年价格已飙升 50% 之后，涨到涨动态随机存取存储器（DRAM）的估再价格在 2025 年第四季度可能再上涨 30%，并在 2026 年初进一步上涨 20%。全球综合来看，内存年内到 2026 年第二季度，价格内存价格相较于当前水平，已上Q预累计涨幅可能高达 50%。涨到涨

当前的估再供应紧张主要源于旧款内存芯片的短缺。为满足人工智能（AI）领域的全球欧亿庞大需求，三星、内存年内SK 海力士等主要制造商正将产能优先分配给更先进的价格芯片，这直接导致了旧款 LPDDR4 内存的供应紧张。

这种产能转移已引发市场价格倒挂的异常现象：用于服务器和个人电脑的较新 DDR5 内存现货价约为每吉比特（Gb）1.50 美元，而广泛用于低端消费电子产品的旧款 LPDDR4 价格却高达 2.10 美元，甚至超过了先进的 HBM3e 内存。

报告强调，一个更广泛且长期的风险正在浮现，其核心驱动力是芯片巨头英伟达（NVIDIA）的战略转型。传统上，服务器为保证数据可靠性，普遍采用具备错误纠正码（ECC）功能的 DDR 内存。

然而，英伟达为降低功耗，正转向在服务器产品中大规模采用 LPDDR 内存，并计划通过 CPU 层面处理错误纠正。研究总监 MS Hwang 指出，这一转变使英伟达的需求规模堪比一家大型智能手机制造商，对现有供应链而言，这是一场难以迅速消化的“地震级”变革。

这一系列连锁反应的最终影响将广泛波及整个消费电子生态系统。高级分析师 Ivan Lam 表示，最初的冲击主要影响采用 LPDDR4 的低端智能手机制造商，但“阵痛”很快会蔓延。

报告预测，中高端智能手机的物料清单（BoM）成本可能因此增加超过 25%，这将严重侵蚀制造商的利润空间，或迫使企业上调产品售价，从而影响市场增长。在产能受限与价格飙升的双重压力下，整个行业将面临艰难的权衡与抉择。

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